口腔正畸学科在我国的发展历史不长,是较为年轻的口腔医学分支学科.在近十余年来,由于我国人民的文化和生活水平的提高以及我国独生子女政策的实施,为口腔正畸学科的发展创造了一定的条件。下面是口腔正畸论文8篇，供大家参考阅读。
口腔正畸论文第一篇：正畸治疗中半导体激光的治疗效果分析
摘要：激光是一种新型的治疗手段，由于具有安全、微创、作用广泛等特点得到了越来越多的关注，被运用于多种口腔疾病的治疗。半导体激光作为一种技术上相对成熟的激光，有控制炎症、降低疼痛、促进创口愈合以及提高颌骨改建的作用。相比传统的治疗方法，激光具有出血量少、不良反应小、操作精确等优势，在加速牙齿移动、缓解正畸疼痛、促进溃疡愈合、减少正畸导致的牙根吸收、降低牙周组织炎症及稳固微种植体等方面具有良好的应用前景。
关键词：正畸治疗; 半导体激光; 激光治疗;
Research Advances in Semiconductor Laser for Orthodontic Treatment
LIU Zhuzig XU Yuhong
Department of Stomatology,the Fifth Affiliated Hospital(Zhuhai) of Zunyi Medical University
Abstract：As a new type of treatment,laser therapy has attracted more and more attention thanks to its safety,minimal invasiveness and wide range of functions. Laser has been applied to the treatment of various oral diseases. Semiconductor laser therapy,as a relatively mature laser technology,has the functions of controlling inflammation,reducing pain,promoting wound healing and improving bone remodeling. Compared with the traditional treatment,laser therapy has the advantages of less bleeding,less adverse reactions,good operation accuracy,showing good application prospects in accelerating tooth movement,relieving orthodontic pain,promoting ulcer healing,reducing orthodontically induced root resorption,reducing periodontium tissue inflammation and stabilizing micro-implants,etc.
在我国错颌畸形发病率高，接受正畸治疗的患者数量众多。正畸治疗在矫治错颌畸形的同时具有一定的局限性，如治疗时间过长、牙齿的移动伴随着疼痛、矫治力的施加可能造成牙根吸收、易产生口腔溃疡等，如何克服这些问题成为正畸医师关注的焦点。激光由于其热效应、切割及凝结性能、杀菌性能、降低疼痛等特性，被广泛运用于临床各学科的疾病治疗[1]。目前临床常使用的激光包括用于组织切割和脱敏的CO2激光、用于根管消毒和根尖手术的Er:YAG激光、用于蚀刻和牙周治疗的Nd:YAG激光、用于口腔软组织手术和牙齿漂白的磷酸钛氧钾激光以及半导体激光。自半导体激光器产生以来就被广泛运用在通信、印刷及医学领域。医用半导体激光多为低能量激光，但高能量激光也有涉及。在口腔方面，半导体激光被用于改进手术后切口的愈合[2]、降低牙周刮治和根面平整后的炎症水平[3]、促进颌骨改建[4]，还对口腔内组织具有镇痛、生物调节、减少炎症等作用[5]。半导体激光在口腔黏膜病、牙体牙髓病、牙周病等方面已有广泛的运用，但在口腔正畸方面的报道相对较少。现就半导体激光在口腔正畸治疗中的临床运用及研究进展予以综述。
1 加快正畸牙的移动速度
正畸治疗可能持续2～3年，过长的治疗时间会显著降低患者的依从性，并带来其他诸多不良反应，如何缩短正畸疗程受到人们的关注。目前已经有很多方法被尝试用于加速正畸治疗进程，包括减少矫治器摩擦力、使用骨支抗等。牙周辅助加速成骨正畸治疗(periodontally accelerated osteogenic orthodontics,PAOO)产生的局部加速现象可以有效地持续加速正畸牙的移动，但PAOO作为一种侵入性手术，术中和术后会带来疼痛、肿胀等问题，限制了PAOO在临床的广泛运用[6]。其他加速牙齿移动的方法还包括局部注射药物、激光、超声波、机械振动、微生物电流等，而激光照射是最能体现无创化、舒适化治疗理念的一种方法。
半导体激光(940 nm,100 m W,Ga Al As激光)能够增加大鼠牙齿移动速度，提高细胞核因子κB受体活化因子(receptor activator of nuclear factor kappa B,RANK)、核因子κB受体活化因子配体(receptor activator of nuclear factor kappa B ligands,RANKL)、骨保护素(osteoprotegerin,OPG)以及Runx2基因的表达，促进正畸牙受力移动过程中的颌骨组织改建[7]。Cifter等[8]的研究同样显示，大鼠在接受半导体激光(830 nm,100 m W,GaAlAs激光)照射后，牙齿的移动速度在全部时间点均高于对照组，且RANKL和OPG的表达显著高于对照组。在临床试验方面，Sedky等[9]和Varella等[2]均证明，接受半导体激光照射患者的龈沟液内RANKL和白细胞介素(interleukin,IL)-1β的含量均显著升高。OPG、RANK和RANKL信号通路在骨改建过程中起着重要作用，与破骨细胞和成骨细胞的功能息息相关[10]，这可能是半导体激光促进颌骨改建、提高正畸牙移动速率的机制之一。值得注意的是，激光可以加快牙齿移动速度，但牙齿的移动速度与激光照射功率并不完全呈正相关，提示激光可能会对口腔内组织产生潜在的危害[11]。还需进一步明确激光对人体组织的作用机制，确定产生最佳效果的激光使用参数。
2 降低疼痛
疼痛是正畸治疗中最常见的不良反应，放置分牙簧、施加矫治力、拆除矫治器等操作均会给患者带来疼痛不适感。据报道，疼痛在患者接受正畸治疗前的恐惧因素中排名第四[12]。8%～30%的患者因为疼痛而放弃正畸治疗[13]。正畸治疗产生疼痛的机制可能是矫治力作用于牙齿，牙周膜细胞释放组胺、5-羟色胺、前列腺素E2、白三烯等物质，从而引发疼痛反应[14]。目前已有不少关于减少正畸疼痛的手段，如口服非甾体抗炎药、麻醉凝胶、激光疗法以及机械振动等。与其他方法相比，激光具有使用方便、不良反应小等优点。半导体激光(940 nm,200 m W,GaAlAs激光)照射可以显著减少患者放置弹性分牙簧后感觉到的咀嚼痛和持续性疼痛[15]。Lo Giudice等[16]研究显示，使用半导体激光(980 nm,1 W)照射后，患者放置正畸初始弓丝感受到疼痛的剧烈程度和持续时间均显著降低，且牙列的拥挤度与激光照射后疼痛降低的程度无显著相关性。另外，运用半导体激光(635 nm,400 m W)可以减少上颌扩弓时产生的疼痛[17]。Qamruddin等[18]研究显示，半导体激光(940 nm,100 m W,7.5 J/cm2,Ga Al As激光)可以减少正畸牙受力时产生的疼痛，并显著加速牙齿移动。
从技术层面讲，激光的干预措施在研究中尚无统一标准，因此，半导体激光在同一方面出现相反的研究结果可能是由于非标准化的激光使用方式所致。激光波长、功率、照射频率均可能对试验结果产生影响，导致最终结论不同。波长大小影响激光的穿透性，且波长大的激光不太可能产生直接的光化学效应，能量也较低，因而不能产生热效应;另外，功率和激光照射的频率也会影响照射组织吸收的总能量[19]。例如，同样是研究半导体激光对下颌第一磨牙放置弹性分牙簧后疼痛的影响，Gupta等[15]的研究显示，激光(940 nm,200 m W,Ga Al As激光，4 J/次，共16 J)照射后疼痛显著减轻;而Martins等[20]的研究则显示，激光(830 nm,100 m W,Ga Al As激光，3 J/次，共24 J)照射前后疼痛比较差异无统计学意义(P=0.132);两者除了激光的波长、功率与照射时间不同外，其他的试验条件均类似，研究结果却不一致，除临床异质性外，还应考虑激光参数造成的异质性。以目前的研究水平，还不能明确临床使用激光的推荐参数。
3 促进溃疡愈合
正畸过程中托槽、弓丝、牵引钩、结扎丝等可能造成唇颊黏膜溃疡，使患者产生疼痛不适感，影响讲话发音，产生对治疗的不满情绪。除了使用自锁托槽、结扎圈、正畸保护蜡等方法外，激光照射也能减少疼痛，促进溃疡愈合。激光(660 nm,5 J/cm2,Ga Al As激光)能抑制牙周膜细胞内肿瘤坏死因子-α、IL-1β、IL-6和IL-8的表达，并增加细胞内环腺苷酸的浓度;另外，成纤维细胞在接受激光照射后，血管内皮生长因子表达显著升高，证明激光照射具有促进血管增殖、降低炎症反应的作用[21]。口腔黏膜炎大鼠接受半导体激光(810 nm,300 m W,18.75 J/cm2)照射后，血小板衍生生长因子BB和碱性成纤维细胞生长因子的表达水平均显著升高[22]。激光对成纤维细胞有显著的增殖作用，可促进溃疡愈合，对于正畸创伤性溃疡来说，半导体激光可以减轻黏膜炎症反应，加速组织修复，是一种减轻溃疡疼痛、促进愈合的有效方法[23]。
4 减少牙根吸收
正畸导致的牙根吸收被认为是一种由牙齿移动导致的不可避免的病理性结果，是破骨细胞在清除受压液化坏死的牙周组织时引起的附加效应[24]。约91%的牙齿在正畸中发生吸收致使牙根变短[25]。牙根吸收的程度与正畸治疗时间的长短、牙根发育状况、牙齿移动类型以及施力大小和方向等均有关。
半导体激光可以减少正畸牙牙根的吸收，加速牙齿移动，促进骨质形成[5,26,27]。动物实验证明，使用半导体激光(810 nm,100 m W,75 J/cm2,GaAlAs激光)照射后实验组大鼠的牙齿移动量大于未照射对照组，受力牙齿远中颊根表面的吸收凹陷体积显著小于对照组，同时实验组颌骨张力侧有更明显的骨质形成[5]。其他报道显示，激光能够减少正畸牙牙根吸收[26,27]。但Ang Khaw等[28]的研究指出，目前尚不能认为激光(660 nm,75 m W,3.6 J/cm2,GaAlAs激光)对正畸导致的牙根吸收有修复作用。半导体激光能否减少正畸源性牙根吸收以及有效的激光参数，还有待进一步的研究。
5 辅助牙周病正畸
半导体激光对慢性牙周炎的治疗有效[29]。半导体激光(810 nm,250 m W)可以提高牙龈成纤维细胞中碱性成纤维细胞生长因子的表达，而碱性成纤维细胞生长因子在牙周组织再生中占有重要地位，这可能是半导体激光促进牙周组织再生的原因之一[30]。Ren等[31]的临床随机对照试验显示，半导体激光(940 nm,8.6 J/cm2)可以显著降低有牙周病损正畸患者龈沟液中IL-1β、前列腺素E2和神经肽P物质的水平，缓解由正畸所致的疼痛，降低牙周组织炎症程度。半导体激光对于存在牙周病损的正畸患者是一种有效的辅助治疗手段。
6 提高种植体的稳定性
自骨支抗系统被发明以来就在复杂病例的矫治中担任重要角色。微种植体具有诸多优点，如降低患者配合需求度、提供最大骨支抗、便于操纵以及容易植入和取出，但如何维持种植体稳固是临床医师面临的挑战。
动物实验证实，半导体激光照射可以增加钛种植体与骨的接触面积，帮助形成更好的骨结合[32]。半导体激光运用于种植体周围黏膜，可有效控制炎症，减少牙龈出血[33,34]。然而，激光是否能增加种植体稳定性还存在争议。Osman等[35]的临床试验显示，半导体激光(910 nm,700 m W,42 J/cm2)可显著减轻种植体周围牙龈的炎症程度，且半导体激光也可减少种植体的活动度，但数据差异无统计学意义(P=0.1592)，还需进一步研究。
7 软组织切割成形
血红蛋白对半导体激光的吸收度很高，特别是氧合血红蛋白，而羟磷灰石晶体对半导体激光的吸收度很低[36]。半导体激光作用于软组织时，会发生一系列的反应，包括组织的热效应、分解、凝固、蛋白质变性及脱水，最终发生汽化、组织消失或者被切割，并有止血的作用;相比手术刀，激光可以更容易地切割，更精确地重塑口腔内软组织的形态，具有出血量少、疼痛感低、基本无需缝合的优点[37]。虽然电刀切割同样出血量少，但由于电刀切割时附带热损伤，可能造成牙龈及口腔黏膜下方的骨膜和牙槽骨坏死，存在延迟切口愈合的风险[38]。适当使用激光，不仅具有减少出血、术野清晰的优点，还可以减少术中和术后的疼痛，促进切口愈合，增加组织再生。
正畸治疗患者佩戴托槽后，由于菌斑堆积、口腔内菌群改变等，导致牙龈肿胀增生，肥大的牙龈进一步妨碍口腔卫生的维持，造成美观方面的问题，并且影响牙齿移动，增加矫治后复发率[39]。常见处理方法为口腔卫生宣教和龈上洁治，广泛的、难以消除的牙龈增生往往需要手术切除。半导体激光可用于切除增生的部分牙龈，帮助维持口腔健康。激光切除多余的牙龈同样能帮助暴露萌出不足的牙冠，辅助准确地定位和黏接托槽[40]。在治疗过程中或者去除托槽结束矫治时，正畸医师常发现个别牙齿不符合微笑美学，原因可能是牙冠高度过短、龈缘形态不佳、牙齿长宽比例不协调以及龈乳头肿胀等，为了美观，患者可能需要接受冠延长或牙龈成形术。当患者美观要求高或需要精确细微的修复时，由于术野清晰、出血量少、便于精确操作，激光是较传统手术刀片更好的选择[41,42]。
8 暴露埋伏牙
半导体激光也可运用于埋伏牙的暴露。上颌尖牙的阻生率约为0.92%，是口腔内除了第三磨牙以外埋伏率最高的牙齿[43]。上颌埋伏尖牙约有85%是腭侧阻生，15%为颊侧阻生，准确定位阻生牙的方向和位置非常重要[44]。对于埋伏牙，常见的正畸处理方法是定位埋伏牙位置后，从唇颊侧或者腭侧切开翻瓣，暴露埋伏牙牙冠并黏接矫治器后进行开放式或闭合式牵引。传统方法是使用手术刀片切开翻瓣，导致大量出血，而黏接正畸附件时需要一个干燥清洁的环境，从手术切口渗出的血液会污染处理过后干燥的牙面，提高矫治器的脱落率。一旦黏接的矫治器在治疗过程中脱落，患者不得不忍受痛苦，重新接受一次暴露埋伏牙的手术。
当埋伏牙位置比较表浅时，或是已经通过其他方法使埋伏牙牙冠位于表浅位置时，推荐使用半导体激光照射埋伏牙区域后，再切除周围软组织暴露牙冠，黏接矫治器加力牵引[45]。使用激光照射后，患者疼痛感降低，而且出血量显著减少，有利于黏接矫治器，降低脱落率[46]。但半导体激光在暴露埋伏牙方面的运用存在局限性，不适用于完全被骨质覆盖的埋伏牙，对于完全埋于骨组织的牙齿，仍然需要翻起颊侧或腭侧黏骨膜，去除覆盖骨组织暴露牙冠[40]。
9 小结
半导体激光具有止血、减少疼痛、控制炎症、促进组织再生等优良性能，可以提升患者的就诊体验，提高治疗效率，促进牙龈美学，在口腔医学领域有广泛的应用前景。激光对人体的治疗机制和治疗效果目前尚不明确。虽然功效众多，但在已有的研究中，半导体激光也显示出了一些不足。例如，半导体激光对降低正畸治疗产生的疼痛效果不如机械振动[47]，在加速牙齿移动、促进颌骨改建方面效果不如骨皮质松解术[8]。由于半导体激光用于口腔疾病治疗的时间较短，对其机制和功能方面的研究还不完善，缺乏足够的证据支撑其疗效，且目前尚无统一的使用参数和操作准则，因此激光在正畸方面的运用和使用规范还有待进一步研究。
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口腔正畸论文第二篇：口腔正畸患者应用微型种植体支抗治疗模式的不足与完善
关键词：微型种植体支抗治疗模式; 口腔正畸; 治疗效果; 不良反应发生率;
口腔正畸是常见口腔治疗方式，主要用于处理牙齿形态异常、排列不齐等问题，可改善患者口腔功能和美观效果。随着人们对牙齿美观需求提升，临床中诊断口腔牙齿形态治疗也成为关注重点，要求采用适合方式保证牙齿美观性。现阶段，正畸治疗作为主要措施，具体治疗中要求选择适合技术类型，保证实现正确有限和持续性加压，以此达到矫正牙齿形态效果[1,2]。以往治疗中使用的治疗方式依靠非种植体支抗，可起到一定治疗效果。但作用有限，并且易产生明显不良反应，安全性相对较低，甚至会影响患者正常口腔功能，导致其生活质量降低。与之相比，几年来兴起的微型种植体支抗治疗模式，逐渐在应用中得到人们广泛关注，提升可对患者正畸质量效果，并且副作用较少[3]。本次研究主要分析在口腔正畸患者治疗中微型种植体支抗治疗模式的效果及其不良反应和临床治疗效果，现报告如下。
资料及方法
一、一般资料
此次研究选取我院2017年1月-2019年2月收拾的98例口腔正畸患者为治疗对象，按照随机分组原则进行分组，将全部患者平均纳入对照组和观察组，每组均为49例，其中，对照组：男28例，女21例，年龄15～53岁，平均年龄为（35.1±2.3）岁，疾病类型：单纯上颌前突16例，上颌前突下颌后缩24例，双颌前突9例；观察组：男27例，女22例，年龄16～52岁，平均年龄为（34.5±2.5）岁，疾病类型：单纯上颌前突15例，上颌前突下颌后缩23例，双颌前突11例。对比2组患者一般资料，P>0.05，存在可比性。
纳入标准：(1)年龄>10岁，<60岁；(2)经诊断确定采用口腔正畸治疗；(3)知情同意。
排除标准：(1)合并严重口腔疾病患者；(2)严重精神功能障碍患者；(3)合并有严重基础性和系统系疾病患者；(4)临床资料不完整；(5)有正畸矫正病史；(6)患者配合度低；(7)有精神功能和意识功能障碍。
二、方法
对照组：采用传统正畸治疗法，具体方式：先对患者进行锥体术CT(cone beam computer to-mography,CBCT）检查，拍摄牙齿状况影像，判断牙齿畸形情况，并进行带环试戴、取模和弯制腭弓，再涂抹分离剂，用蜡和石膏对腭弓进行固定，去除带环上蜡，并进行焊接。焊接完成后去除石膏，并围筑蜡堤，对石膏模型实施浸泡处理，除去多余水分撒上牙托粉，采用自凝牙托水单体进行凝固处理，凝固后去除筑堤，打磨剖光，试上胎。矫正后使用横腭杆支抗进行控制。
观察组：实施微型种植体支抗治疗模式进行治疗，治疗前先采用CBCT拍摄影像，确定患者牙齿状况，并判断植如位置骨组织状况，确定具体植入位置、深度、角度等参数，要求不要压根、上颌窦以及压槽神经等。植入前先进行术口，并使用药物进行局部麻醉，麻醉药物使用利多卡因，麻醉后采用对照组方式进行牙齿矫正，并用微型种植体支抗进行控制，确定具体植物位置，并进行标记。结合患者牙齿形态实施相关植入操作，防止损伤口腔软组织。完成治疗后，以逆时针顺序以此去除微型种植体。
术后半年对患者进行随访，1次/月，检查患者植体位移状况，及时更换拉簧，并给予患者常规抗感染治疗，降低感染等并发症。
三、观察指标
观察2组患者上中切牙倾角度、上中切牙凸差距和磨牙移位情况，以及治疗后口腔炎症、软组织水肿和感染三项并发症发生率。
四、疗效判定
根据患者正畸治疗情况和症状判断治疗效果，其中，以磨牙停止移位、上中切牙直立、凸距减少和无严重疼痛、肿痛症状为显效，以磨牙位移、上中切牙倾角度、凸差距和不适症状明显改善为有效，而不符合上述要求为有效。总有效率=（显效例数+有效例数）/总例数×100%。
五、统计学方法
本次研究采用SPSS22.0统计分析，计量资料、计数资料分别采用t和检验法，P<0.05表明差异具有统计学意义。
结果
一、正畸情况比较治疗后随访半年观察2组患者上中切牙倾角度、凸差距和磨牙移位，观察组均优于对照组，2组差异具有统计学意义（P<0.05），见表1。
二、治疗效果观察组患者治疗总有效率为95.92%，对照组的85.71%相比，明显观察组更优（P<0.05），见表2。
三、不良反应发生率比较观察组患者不良反应发生率为6.12%，明显低于对照组的18.37%，组间发生率差异显著（P<0.05），见表3。
讨论
随着口腔正畸治疗技术改进，已经开始采用微型种植体作为支抗，该方式治疗效果良好，已经成为人们重点关注的治疗方式，与传统治疗方式相比，具有更加明显使用优势[4]。以往进行正畸治疗中使用的治疗方式效果相对较差，影响美观性，并且不良反应发生率较高，难以保证治疗安全性，患者接受度相对较低。而微型种植体支抗治疗模式本身体积小，操作简单，植入方便，使用效果明显，并且价格较低，对患者牙齿美观程度保障度更高，取出方便，并且对患者配合度依赖程度低，痛感少，可减少感染等问题发生率，治疗效果显著，患者对该方式接受度更高[5,6]。但该方式依旧存在一定不足，患者植入微型种植体支抗后，拉簧与植体相连位置以发生食物寄存问题，长此以往易引发植体周围炎症，严重时甚至会导致植体松动、脱落，因此必须根据医嘱保证良好口腔环境，提升治疗效果[7,8]。
本次研究结果显示，观察组正畸治疗状况、治疗效果和患者不良反应发生率均明显优于对照组，2组差异显著（P<0.05）。可见对口腔正畸治疗患者采用微型种植体支抗治疗，与传统正畸治疗相比，可明显改善上中切牙倾角度、凸差距和磨牙移位情况，并且微型种植体支抗操作简单，对口腔损伤小，支抗效用高，具有更高安全性，可减少口腔炎症和软组织水肿等症状发生可能性，利于缓解患者治疗后不适感，提升临床治疗效果。
综上所述，针对口腔正畸治疗患者采用微型种植体支抗模式，其治疗效果明显优于传统正畸治疗，对患者口腔状况改善明显，治疗安全性和效果更佳，值得推广使用。
表1 2 组患者正畸情况对比
表2 2 组患者治疗效果对比[n(%)]
表3 2 组患者不良反应发生率对比[n(%)]
参考文献
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